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Shottky 전계방사형 전자총으로부터 방출된 전자빔을 시료 표면에 조사시킴으로써 시료표면에서 방출되는 2차전자(SE) 및 후방산란전자(BSE)를 검출하여 시료의 표면 형태나 표면 정보 등 미세구조를 관찰할 수 있는 장비.

저전압 FE-SEM으로 초저가속전압(1kV이하)에서도 고배율 이미지를 관찰할 수 있어 시료 표면 손상이 일어나기 쉬운 유기재료 등의 표면 관찰 가능.

다양한 위치의 다양한 detector(UED, USE, LED, RBED)를 통해 원하는 이미지의 구현과 비교가 가능.

• JSM-7900F

- Resolution: 0.6nm at 15kV

                 0.7nm at 1kV

                 1nm at 500V

- Magnification: x25 to 1,000,000

- Accelerating Voltage: 0.01 to 30kV

- GB mode 0~5kV

- Probe Current: A few pA to 500nA

- Detector: Upper Electron Detector(UED)

               Upper Secondary Electron Detector(USD)

               Lower Electron Detector(LED)

               Retractable Backscattered Electron Detector(BED)

-Energy Filter: Energy Filter + UED

- Aperture Control Lens: ACL + OL
- Objective Lens: Super Hybrid Lens
- Neo Engine: Yes
- LDF: Yes

- Specimen Movement

  X: 70mm(motor driven)

  Y: 50mm(motor driven)

  Z: 2 to 41mm(motor driven)

  Tilt: -5 to 70°(motor driven)

  Rotation: 360°(motor driven)

• EDS(Aztec Live)

- Resolution: 127eV at Mn Ka, 130,000 cps

- Detector: Analytical Silicon Drift Detector(SDD Type), LN2 Free

- Detectable electrons: 4 Be to 94 Pu

- Sens Area: 100mm2

- 고분해능 표면분석 및 구조분석과 단면 두께 측정

- 금속, 반도체, 절연체 등 무기물 시료의 표면 구조분석

- 박막, 다층박막의 단면관찰 및 두께 측정

- nano particle, 고분자화합물 시료의 미세표면구조 관찰

- 초저가속전압(1kV이하) 고배율 이미지 관찰

- EDS를 이용한 시료의 정성 및 정량분석